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傳聞攪動第三代半導(dǎo)體炒作 聚燦光電收到交易所關(guān)注函

2020-09-15 06:39  來源:中國證券報

    9月14日晚,繼乾照光電之后,另一只第三代半導(dǎo)體概念熱門股聚燦光電收到交易所下發(fā)的關(guān)注函。關(guān)注函要求,聚燦光電說明近期股價漲幅與公司經(jīng)營業(yè)績等基本面情況是否匹配,并結(jié)合公司業(yè)務(wù)生產(chǎn)經(jīng)營情況、股價走勢、技術(shù)應(yīng)用更新及資金周轉(zhuǎn)風(fēng)險等情況,進行充分的風(fēng)險提示。

    股價漲幅與業(yè)績偏離較大

    關(guān)注函表示,聚燦光電上半年實現(xiàn)扣非凈利潤-2669.74萬元,去年同期為-932.17萬元;公司上半年計入當期損益的政府補助金額為4773.96萬元,為上半年利潤的主要來源之一。9月3日至9月14日,公司股價累計漲幅達125.98%,與同期創(chuàng)業(yè)板綜指漲幅和公司上半年業(yè)績情況偏離較大。創(chuàng)業(yè)板公司管理部對此表示高度關(guān)注。

    首先,關(guān)注函要求聚燦光電說明上半年扣非后凈利大幅下滑的主要原因及與同行業(yè)公司業(yè)績的對比情況,公司產(chǎn)品和技術(shù)應(yīng)用是否發(fā)生重大變化、是否具有明顯行業(yè)優(yōu)勢以及對公司的影響情況。

    聚燦光電主要從事化合物光電半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品為GaN基高亮度LED外延片、芯片,產(chǎn)品主要應(yīng)用于顯示背光、通用照明、醫(yī)療美容等中高端應(yīng)用領(lǐng)域。

    其次,關(guān)注函要求聚燦光電詳細說明公司近期接待機構(gòu)和個人投資者調(diào)研的情況,是否存在違反公平披露原則的事項。

    第三,關(guān)注函要求聚燦光電核查公司控股股東、實際控制人、董監(jiān)高人員、持股5%以上股東及其一致行動人最近1個月買賣公司股票的情況,未來3個月內(nèi)是否存在減持計劃,是否存在內(nèi)幕交易、操縱市場、違規(guī)買賣公司股票的情況,并報備交易明細和自查報告。

    股價大漲期間,重要股東順勢減持。聚燦光電9月10日公告,公司近日收到持股5%以上股東兼董事徐英蓋發(fā)出的《關(guān)于股份減持計劃實施進展的告知函》。截至9月10日,徐英蓋本次減持計劃累計減持218.50萬股,減持數(shù)量已過半。其中,9月3日至9月10日,徐英蓋減持了68.50萬股。

    第三代半導(dǎo)體處于發(fā)展初期

    聚燦光電等個股的炒作源自一條市場傳聞,即我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,計劃2021年至2025年在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面,大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

    區(qū)別于第一代的硅(Si)和第二代的III-V族化合物,第三代半導(dǎo)體的材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN,其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率,在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域可替代前兩代半導(dǎo)體材料。憑借這些性能優(yōu)勢,第三代半導(dǎo)體可廣泛應(yīng)用于能源、交通、信息、國防等眾多領(lǐng)域。

    目前,國內(nèi)廠商已經(jīng)布局了第三代半導(dǎo)體的設(shè)備、襯底、外延和器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。據(jù)集邦咨詢不完全統(tǒng)計,今年1-8月,國內(nèi)所披露新開工以及新簽約第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目的投資總額超過450億元。三安光電、露笑科技、華潤微、賽微電子、聞泰科技、士蘭微、揚杰科技等一眾上市公司均有布局。

    相比第一代半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體市場體量有限,但增長較快。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),到2020年底,全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入預(yù)計為8.54億美元,到2029年有望超過50億美元。

    國信證券提示,由于第三代半導(dǎo)體處于發(fā)展初期,很多優(yōu)秀公司暫未上市。而相關(guān)上市公司大多數(shù)處于研發(fā)階段,或者產(chǎn)品處于推廣初期,對上市公司收入貢獻很小。光大證券表示,碳化硅長晶技術(shù)難度較高,良率提升困難,如果碳化硅生產(chǎn)良率不及預(yù)期,第三代半導(dǎo)體應(yīng)用普及速度面臨不及預(yù)期的風(fēng)險。

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