本報記者 李春蓮

    近日，《證券日報》記者獲悉，江蘇微導納米科技股份有限公司（以下簡稱微導）喜獲來自某先進半導體芯片制造企業(yè)的首個訂單，即將交付首臺用于先進技術節(jié)點的原子層沉積（ALD）量產設備。

    該產品聚焦全球IC制造市場，為邏輯、存儲等超大集成電路制造提供關鍵工藝技術和解決方案。尤其是在國內尖端半導體芯片制造方面，產品技術可覆蓋45納米到5納米以下技術節(jié)點所必需的高介電常數柵氧層ALD工藝需求，填補了該領域無國產設備的空白。

    2020年，作為國內尖端微納制造核心裝備企業(yè)，微導迎來了一個新的重要里程碑：再一次突破技術“無人區(qū)”，自主研發(fā)的鳳凰系列ALD薄膜沉積系統成功實現量產化，專用于先進超大集成電路（VLSI）制造所需各類ALD薄膜沉積工藝。當前尖端半導體芯片制造必需采用的極少數ALD設備技術僅對用戶提供單一或特定工藝制程。

    不同于此，微導通過自主創(chuàng)新，在產品設計性能上力求超越，使該產品具有強大的材料選擇功能，可提供包括HfO2，ZrO2，Al2O3，SiO2，Ta2O5，TiO2，La2O3，ZnO，TiN，以及AlN等多種工藝功能。其中可用于FINFET結構柵氧層的高介電常數材料（HfO2）的12寸晶圓工藝已達到片內及片間薄膜厚度均勻性均在1%以內，無可探測的氯、碳雜質含量，工藝性能不僅可滿足當前45-14nm技術節(jié)點需求，更重要的是該產品可進行10nm乃至5nm以下技術節(jié)點的工藝材料升級，為客戶提供在尖端芯片設計和制造過程中更多的核心工藝選擇性，從而為更好的提升關鍵制造技術開發(fā)和知識產權保護提供重要保障。

    微導副董事長、CTO黎微明博士表示，微導推出的ALD設備面向全球市場，將改變長期以來半導體先進制程關鍵工藝被極少數裝備制造商壟斷的現狀，為尖端半導體制造提供了更多選擇，同時對國內的半導體產業(yè)鏈成長具有極大的意義。期待首臺ALD設備在客戶產線能夠以最快速度順利導入量產，以此為起點和客戶一起建立先進制程開發(fā)和制造能力。微導還將推出一系列半導體領域ALD技術和裝備，用于邏輯、存儲、特色工藝、化合物半導體等芯片制造，力爭成為ALD技術產業(yè)化應用的先行者與領導者。

（編輯 喬川川）