本報訊 （記者張文湘 見習(xí)記者占健宇）3月30日晚間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）披露2025年年度報告。報告顯示，公司2025年全年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入123.85億元，同比增長36.62%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約21.11億元，較上年增加約4.96億元，同比增長約30.69%。

    其中，刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)繼續(xù)發(fā)揮壓艙石作用，截至2025年底，公司刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺全球出貨量超過6800臺，應(yīng)用范圍覆蓋65納米至3納米及更先進(jìn)制程的各類刻蝕場景，在國內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線的市占率持續(xù)穩(wěn)步提升。薄膜沉積設(shè)備業(yè)務(wù)在2025年迎來爆發(fā)式增長，全年?duì)I收同比增長約224.23%，成為驅(qū)動中微公司業(yè)績增長的重要新引擎。

    在研發(fā)投入方面，報告顯示，2025年中微公司研發(fā)投入達(dá)37.44億元，同比增長52.65%，占營業(yè)收入比重超過30%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司10%到15%的平均水平。高強(qiáng)度的研發(fā)投入推動產(chǎn)品迭代速度顯著提升，新設(shè)備開發(fā)周期從傳統(tǒng)的3至5年縮短至2年以內(nèi)。

    據(jù)披露，目前中微公司正在推進(jìn)六大類、超20款新設(shè)備的研發(fā)工作，涵蓋新一代CCP

    高能等離子體刻蝕設(shè)備、ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備、晶圓邊緣刻蝕設(shè)備、LPCVD及ALD薄膜設(shè)備、硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、新一代等離子體源的PECVD設(shè)備、CuBSPVD超多反應(yīng)腔集成設(shè)備、電子束量檢測設(shè)備、大平板設(shè)備以及多款新型MOCVD設(shè)備等。

    值得一提的是，中微公司在濕法設(shè)備上也開始推動新的布局。3月30日晚間，中微公司正式披露《發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金報告書（草案）》，擬通過并購國內(nèi)領(lǐng)先的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備供應(yīng)商——杭州眾硅電子科技有限公司控股權(quán)，加速向全球一流的平臺型半導(dǎo)體設(shè)備集團(tuán)公司邁進(jìn)。

    通過本次交易，中微公司將成為具備“刻蝕+薄膜沉積+量檢測+濕法”四大前道核心工藝能力的廠商，成功實(shí)現(xiàn)從“干法”向“干法+濕法”整體解決方案的關(guān)鍵跨越。這意味著中微公司能夠?yàn)榭蛻籼峁└叨葏f(xié)同、更系統(tǒng)化的成套設(shè)備方案，有望縮短客戶工藝調(diào)試與驗(yàn)證周期，增強(qiáng)客戶黏性，加速國產(chǎn)設(shè)備在主流產(chǎn)線的規(guī)模化滲透。

    中微公司方面表示，隨著人工智能、云計算、自動駕駛等新興應(yīng)用加速落地，芯片制造向更先進(jìn)制程邁進(jìn)，刻蝕、薄膜沉積、量檢測等核心集成電路高端設(shè)備的需求持續(xù)升溫，先進(jìn)封裝市場亦迎來高速發(fā)展期。公司將緊抓行業(yè)發(fā)展機(jī)遇，持續(xù)鞏固在集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的核心競爭力，拓展泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備應(yīng)用，向技術(shù)領(lǐng)先的高端設(shè)備平臺化集團(tuán)公司穩(wěn)步邁進(jìn)。

（編輯 張昕）